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成熟制程晶圆代工厂联电宣布，与美国高压、功率及感测半导体专业代工厂Polar Semiconductor， LLC（Polar）签署合作备忘录（MOU），双方将就美国本土8寸晶圆制造的深度合作展开洽谈。
据悉，该合作聚焦在Polar近期扩建的明尼苏达州8寸厂，联电将结合其8寸工艺技术组合与庞大的全球客户基础，与Polar稳健的在地制造能力互补，共同选定具体生产项目。鉴于此次合作呼应了美国强化本土半导体制造的国家战略，因此，有分析认为，该合作可望受惠《芯片法案》或其他后续政策支持及相关产业投资。
联电全球业务资深副总经理张士昌表示：“在联电致力透过多元的制程技术及全球布局，为客户提供弹性的供应链选择。”
Polar营销副总经理Ken Obuszewski表示：“此次战略合作充分体现Polar满足本土半导体制造日益增长需求的决心，凭借在功率及传感领域的专业技术与在地优势，与联电的合作将有效推动业务成长。”
业内人士认为，该布局反映联电以携手美国在地晶圆厂方式，进行全球布局。全球地缘政治风险升高为主要考量，联电透过绑定美国本土产能，能有效降低客户在航天、国防等对供应安全敏感之产业面临的风险。相较于台积电透过直接设厂方式，更具备营运杠杆弹性，不过未来在主导权则视双方投入而定。
除了Polar，2024年初，联电与英特尔建立了战略合作伙伴关系，双方将合作开发12nm工艺平台，以应对移动、通信基础设施和网络等高增长市场的需求。该项目将在2026年会完成相关的工艺开发和验证工作，预计2027年投产。
据悉，联电与英特尔12纳米合作进展顺利，将于明年1月正式提供客户制程设计套件（PDK），2027年上半年交付制造（tape-out），并开始逐步贡献营收。供应链消息，联电在先进封装领域亦在发力，包括嵌入式深沟槽电容（DTC）、Wafer-to-Wafer堆叠等，目标涵盖芯片封装与客制化堆叠内存项目，应用于AI、HPC或消费性电子领域。
联华电子在2017年宣布退出10nm及以下先进制程节点的开发，仅停留在14nm制程节点。可是随着成熟制程节点的竞争加剧，供应过剩导致利润下降，加上人工智能时代对采用先进工艺的芯片需求增加，联华电子或许会重新加入先进工艺的竞争。
此前，TrendForce报道联华电子正在考虑扩大与英特尔之间的合作伙伴关系，可能选择在原有12nm工艺基础上增加6nm工艺。此前联华电子宣布其2025年的资本支出降至18亿美元，相比上一年大幅降低了37.93%，考虑到新建生产线所需要的资金，如果仅依靠自身力量，很难开发新的工艺技术。
业内人士也有同样的看法，认为未来联电与英特尔将持续洽谈下一世代制程的合作机会，其中，英特尔冲刺先进制程，Intel 7、4都有可能会是下阶段联电迈进先进制程之契机。
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